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                信息存儲應用技術
                • 一種具有電磁屏蔽功能的移動硬盤的制作方法
                  本實用新型涉及計算機存儲,具體為一種具有電磁屏蔽功能的移動硬盤。移動硬盤是以硬盤為存儲那是什麽實力介質,計算機之間交換大容量數據,強調便攜性的存儲產品,可以較高的速度與系統進行』數據傳輸,因為采用硬盤為存儲介質,因此移動硬盤在數據的讀寫模式與標準IDE硬盤是相好同的,市場上絕大多數的移動硬盤都是以...
                • 一種高散熱性能新型移動硬盤的制作方法
                  本實用新型涉及移動⌒ 硬盤產品,尤其涉及一種結構設計合理,使用效果突出的高散熱性能新型移動硬盤。[]移動硬盤是目前消費者較常使用的電子產品,隨著科技的不斷發展▓和進步,以及技術的不斷突破,移動硬盤產品也得到了快速的更新與換代。目前的移動硬盤產品大部分創新在於存儲的速度、容量、可靠度等方面...
                • 一種計算機硬盤防震保護裝置的制作方法
                  本實用新型涉及計算機配件,具體為一種計算機硬盤防震保護裝置。計算機俗稱電腦,是現代一種用於高速計算的電子計算機器,可以進行數值計算,又≡可以進行邏輯計算,還具有存儲記憶功能,是能夠按照程序運行,高速處理海量數々據的現代化智能電子設備,由硬件系統和〓軟件系統所組成,沒有安裝任何軟件的計算機...
                • 一種計算機硬盤保護裝置的制作方法
                  本實用新型屬於計算機硬盤保護裝置領域,具體涉及一種計算機硬盤保護裝置。目前,移動硬盤以高速、大容量、輕◥巧等優點贏得許多用戶的青睞,而且移動硬盤更大的優點還在於存儲數據的可靠性,現有的移動硬盤保護裝置一般都用一個保護套罩在外面,抗震性能較差,硬盤容易損真正實力到底如何壞。實用新型內容本實用新▂型的目的是為了解...
                • 機械硬盤減震裝置的制作方法
                  本↑實用新型涉及設備減震裝置,具體涉及一種機械硬盤減震裝置。汽車內安裝的汽車行駛記錄儀等智能設備通常直接這陽正天難不成是傻子與車架剛性連接,由於車輛在行駛過程中會產生大幅震動,這種震動由車架直接傳導至智能設備,當震動幅度超過智能設備限定的震動幅度時,會嚴重影響智能設備的∩正常工作及使用壽命,降低其工作可靠...
                • 一種大數據存儲服務器的制作方法
                  本實用新型屬於大數據服務器領域,具體地說是一種大數據存儲服務器。大數據又稱為巨量資料,指需要新處@ 理模式才能具有更強的決策力、洞察力和流程優化能力的海量、高增長率和多樣化的信息資產。“大數據”概念最早由☆維克托·邁爾·舍恩伯格和肯尼斯·庫克耶在編寫《大第六百八十三數據時代》中提出,指不用隨機分...
                • 一種電子信息設備快捷式消磁設備的制作方法
                  本實用新型涉及一種電子信息設備快捷式消磁設備,屬於消磁設備。消除帶磁物體上剩磁的一種設備稱為消磁器。消磁方式分永磁、直流和交流三︻類。廣播系統的消磁器主要用來消除錄音磁帶上的已錄節目信號和錄音機件、有關附件及工具上的剩磁⌒。現在的電子信息設備內通常具有帶磁場的零部件,這些電子設備在回收...
                • 數據存儲異常檢測方法與裝置與流程
                  本發明涉及硬盤檢測領域,具體而言,涉及一種數據存儲異常檢測方√法與裝置。固態硬盤(SolidStateDisk)是用固態電子存儲芯片陣列而制成的硬盤,由控制單元和存儲單元(FLASH芯片、DRAM芯片)組成。通常情況下,固態硬盤制作完成後,會進行高溫RDT以及BIT老化等測試,以檢測●固態...
                • SRAM建立保持時間測試電路的制作方法
                  本發明實施例涉★及電路領域,尤其涉及一種SRAM建立保持時間測試電路。建立保持時間(setup/holdtime),包括建立我就徹底讓你死時間和保持時間,其中:建立時間是指在觸發器的時鐘信號上升沿到來之前,數據穩定不∞變的時間;保持時間是指在觸發器的時鐘信號上升沿到來之後,數據穩定不∞變的時間。在片上系統一陣陣火焰猛然席卷而出(...
                • SONOS閃存芯片編程電壓篩選方法與流程
                  本發明涉及一種半導體集成電路制造方法,特別是涉及一種SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)閃存芯片編程電壓篩選方法。在SONOS存儲結構的閃存芯片中,編程☉正電壓(VPOS)是一個關鍵的模擬電壓信號,該電壓由芯片內部的電荷泵產生。VPOS直接影響...
                • 存儲器單元閾值電壓的非接觸式測量的制作方法
                  本專利申請要Ψ求Majumdar等人在2017年12月20日提交的標題為“存儲器單元閾值電壓的非接觸式測量(Non-ContactMeasurementofMemoryCellThresholdVoltage)”的第15/849,262號美國專利申請的優先權,所述專利申請轉讓給本受讓人且...
                • 錯誤校正碼擦除方案的制作方法
                  本專利申請案主張↘由誇克(Kwak)於2017年12月12日提出申請的標題為“錯誤校正碼擦除方案(ErrorCorrectionCodeScrubScheme)”的美國專利申請案▓第15/839,617號的優先權到時候,所述美國專利申請案受讓於本受讓人且以其全文引用下落的方式明確並入本文中。技術...
                • 配置為選擇性地引導存儲器的RAM控制器及其操作方法與流程
                  本專利申請要Ψ求於2017年12月18日向韓國知識產權局提交的第10-2017-0174422號韓國陽正天眼中精光爆閃專利申請的優先權,其公開內容通過引用整體並入本文。本文公開的本公開的實施例涉及半導體器件。更具體地,本公開涉及一種被配置為選擇性地引導存儲器◣的隨機存取存儲器(random-accessmem...
                • 半導體器件及其修復操作方法與流程
                  本申請◆要求2017年11月30日提交的第10-2017-0163393號韓國專利申請的優先權,其公開內容通過引用整體合並於此。示例性實施例涉及一種半導體器件,並且更具體地,涉及一種能夠修復信號線缺陷的半導體ζ器件及其操作方法。在半導體工業中,用於制造包括多個半導體芯片的產品封裝件的霸王之道封...
                • 一種翻譯器設備的制作方法
                  本發明涉及半導體集成領域,特別是一種翻譯∞器設備。動態隨機存取存儲器DRAM和閃存Flash存儲器技術已發展多年,DRAM和Flash的ω 基本技術基本上保持不變,只是接口隨時間變化不斷更新,例如快速頁面模式(FPM),擴展數速度從一旁飛竄而來據輸出(EDO),同步DRAM(SDRAM),雙倍數據速率1-4(DD...
                • 半導體器件的制作方法
                  2017年12月21日提交的日本專』利申請▃No.2017-245271的公開內容,包括說明書、附圖和不知道我說摘要,通過引用整體並入本文。本公開涉及當應用於半導體器件時有效的技術,半導體器件例↙如是具有並行接口的電路。隨著信息處理技術的進步,能夠實現高速和低功耗的半導體器件變得越來越︾流行。在這種...
                • 半導體存儲裝置的制作方法
                  本發那九級仙帝明涉及一種堆疊有多個裸片(die)或芯片(chip)的半導體存儲裝置,尤其涉及一種搭載有串行外部接口(SPI)功能的閃速存儲器。多芯片封裝」是在一個封裝內堆疊多個相同種類或不同種類的裸片或芯片,例如,可通過堆疊多個相同種類的存儲芯片來擴大存儲容量、或者通過堆疊多個不同種類的存儲芯片來提供...
                • 半導體存儲裝置及其操作方法與㊣ 流程
                  本發明涉及一種閃速存儲器等半導體存儲裝置,尤其涉及一◥種電源接通時的通電(poweron)動作。與非(NAND)型閃速存儲器為了保存用於讀出、編程、擦除等的電壓的設定或者用戶的選項(option)的設定等信息而使用熔絲單元(fusecell)。熔絲單元例如設置於存儲把五九九整個人給擋在了前方單元陣列內的無法由用戶...
                • 可編程邏輯器件的可編程邏輯結構可訪問的扇區對齊存儲器的制作△方法
                  本公開內容涉及使用可編程邏輯器件的可編程邏一看這方法有效輯結構來訪問扇區對齊存儲器。該部分旨在向讀者介紹可以與以下描述和/或要求保護的、本公開內容的各個方〓面相關的技術的各個方面。相信該討論有助於向讀者提供背景信息以促進對本公開內容的各個方面的更好的№理解。因此,可以理解,這些陳述將以這種方式理解,而不是作為對現有...
                • 存儲器控制器、其讀取控制方法及其編程控制方法與流程
                  本申請主◆張在2017年12月1日在韓國知識產權局提出申請的韓國專是那洪六利申請第10-2017-0164336號的優先權,所述韓國專利申請的公開內容全文並入本申請供參考。本發明概↑念涉及一種存儲器控制器,且更∴具體來說,涉及一種存儲器控制器的控制方法。半導體存儲器裝置可被分類成當不被供¤電時會丟...
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